工学
はじめての半導体デバイス
直感的・本質的に理解!!
半導体デバイスは,厳密に学ぼうとすると量子力学から解き明かさなければならず大変ハードルが高くなる.本書は,著者のメーカーと大学での講師経験から,直観的かつ本質的に理解出来るよう,式よりも図を用いて丁寧に解説した.
各章末には,演習課題と,詳細な解答を用意して確実に理解出来るようしてある.付録ではより確実な理解を得るために,重要な事項について解説を行っている.初学者には最適の書である.
電子書籍¥2,530 小売希望価格（税込）
紙の書籍¥2,530定価（税込）
基本情報
| 発売日 | 2017年3月28日 |
|---|---|
| 本体価格 | 2,300円 |
| ページ数 | 152 ページ ※印刷物 |
| サイズ | B5 |
| ISBN | 9784764905238 |
| ジャンル | 工学 |
| タグ | 電子工学, 教科書 |
| 電子書籍形式 | 固定型 |
主要目次
1章 半導体とMOS トランジスタの簡単な説明
1.1 半導体の歴史
1.2 半導体の概説
1.3 MOSトランジスタの概説
2章 半導体の基礎物理
2.1 エネルギーバンド
2.2 フェルミ統計と半導体
2.3 電荷中性条件と質量作用の法則
2.4 拡散とドリフト
2.5 静電場の基本式
3章 pn接合ダイオード
3.1 pn接合ダイオード構造と整流作用,
3.2 エネルギーバンド図 (接地)
3.3 エネルギーバンド図 (バイアスの印加)
3.4 電流電圧特性
4章 バイポーラトランジスタ
4.1 バイポーラトランジスタのエネルギーバンド図
4.2 電流増幅率とカットオフ周波数
5章 MOS キャパシタ
5.1 MOS キャパシタのC-V特性
5.2 MOS 構造のエネルギーバンド図
5.3 C-V 特性の周波数依存性
6章 MOS トランジスタ
6.1 MOS トランジスタの動作原理
6.2 電流電圧特性
6.3 NMOSとPMOS
6.4 インバータ回路
7章 超LSIデバイス
7.1 デバイス微細化の指針: スケーリング則
7.2 デバイス微細化の課題
7.3 配線の微細化による信号遅延
7.4 フラッシュメモリ
付録
【付録A1】 定数表
【付録A2】 室温 (300K) における Siの基本定数
【付録A3】 マクスウェル・ボルツマン分布関数
【付録A4】 電子密度nとホール密度pの式
【付録A5】 質量作用の法則
【付録A6】 pn接合の空乏層幅
【付録A7】 キャリアの生成・再結合
【付録A8】 小信号でのエミッタ接地の電流増幅率
【付録A9】 バンドギャップ・ナローイングと少数キャリア移動度
【付録A10】 しきい電圧 V th
【付録A11】 ドレイン電流 I Dのの飽和についての新しい解釈
【付録A12】 ドレイン電圧 V Dを考慮したドレイン電流 I Dの式
参考図書
参考文献
索引
1.1 半導体の歴史
1.2 半導体の概説
1.3 MOSトランジスタの概説
2章 半導体の基礎物理
2.1 エネルギーバンド
2.2 フェルミ統計と半導体
2.3 電荷中性条件と質量作用の法則
2.4 拡散とドリフト
2.5 静電場の基本式
3章 pn接合ダイオード
3.1 pn接合ダイオード構造と整流作用,
3.2 エネルギーバンド図 (接地)
3.3 エネルギーバンド図 (バイアスの印加)
3.4 電流電圧特性
4章 バイポーラトランジスタ
4.1 バイポーラトランジスタのエネルギーバンド図
4.2 電流増幅率とカットオフ周波数
5章 MOS キャパシタ
5.1 MOS キャパシタのC-V特性
5.2 MOS 構造のエネルギーバンド図
5.3 C-V 特性の周波数依存性
6章 MOS トランジスタ
6.1 MOS トランジスタの動作原理
6.2 電流電圧特性
6.3 NMOSとPMOS
6.4 インバータ回路
7章 超LSIデバイス
7.1 デバイス微細化の指針: スケーリング則
7.2 デバイス微細化の課題
7.3 配線の微細化による信号遅延
7.4 フラッシュメモリ
付録
【付録A1】 定数表
【付録A2】 室温 (300K) における Siの基本定数
【付録A3】 マクスウェル・ボルツマン分布関数
【付録A4】 電子密度nとホール密度pの式
【付録A5】 質量作用の法則
【付録A6】 pn接合の空乏層幅
【付録A7】 キャリアの生成・再結合
【付録A8】 小信号でのエミッタ接地の電流増幅率
【付録A9】 バンドギャップ・ナローイングと少数キャリア移動度
【付録A10】 しきい電圧 V th
【付録A11】 ドレイン電流 I Dのの飽和についての新しい解釈
【付録A12】 ドレイン電圧 V Dを考慮したドレイン電流 I Dの式
参考図書
参考文献
索引