工学
増補版 はじめての半導体デバイス
本書は教科書として好評の「はじめての半導体デバイス」の増補版です。
半導体デバイスは、大学、高専の電気・電子系学科では必須の授業ですが、厳密な講義を行うには量子力学から解き明かさなければならなくなり、大変ハードルが高くなります。
本書ではあえてそこには触れず、半導体デバイスの基礎を直観的かつ本質的に理解することを目指し、式よりも図を多く用いて理解出来るよう工夫されています。
増補版ではMOSトランジスタについて加筆し、電流電圧特性についても本質的に解説。
付録ではMOSトランジスタの背景を説明するなど、教科書としてより充実した内容となっています。
電子書籍¥2,300 小売希望価格（税別）
紙の書籍¥2,300定価（税別）
基本情報
| 発売日 | 2022年4月4日 |
|---|---|
| ページ数 | 160 ページ ※印刷物 |
| サイズ | B5 |
| ISBN | 9784764906440 |
| ジャンル | 工学 |
| タグ | 半導体, 教科書 |
| 電子書籍形式 | 固定型 |
主要目次
1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
1.1 半導体の歴史
1.2 半導体の概説
1.3 MOSトランジスタの概説
2章 半導体の基礎物理
2.1 エネルギーバンド
2.2 フェルミ統計と半導体
2.3 電荷中性条件と質量作用の法則
2.4 拡散とドリフト
2.5 静電場の基本式
3章 pn接合ダイオード
3.1 pn 接合ダイオード構造と整流作用
3.2 エネルギーバンド図（接地）
3.3 エネルギーバンド図（バイアスの印加）
3.4 電流電圧特性
4章 バイポーラトランジスタ
4.1 バイポーラトランジスタのエネルギーバンド図
4.2 電流増幅率とカットオフ周波数
5章 MOSキャパシタ
5.1 MOSキャパシタのC-V 特性
5.2 MOS構造のエネルギーバンド図
5.3 C-V 特性の周波数依存性
6章 MOSトランジスタ
6.1 MOSトランジスタの動作原理
6.2 電流電圧特性
6.3 NMOSとPMOS
6.4 インバータ回路
7章 超LSIデバイス
7.1 デバイス微細化の指針：スケーリング則
7.2 デバイス微細化の課題
7.3 配線の微細化による信号遅延
7.4 フラッシュメモリ
付録
【付録A1】定数表
【付録A2】室温(300 K) におけるSi の基本定数
【付録A3】基本特許から実用化まで32年かかったMOSトランジスタ
【付録A4】マクスウェル・ボルツマン分布関数
【付録A5】電子密度nとホール密度pの式
【付録A6】質量作用の法則
【付録A7】pn接合の空乏層幅
【付録A8】キャリアの生成・再結合
【付録A9】小信号でのエミッタ接地の電流増幅率
【付録A10】バンドギャップ・ナローイングと少数キャリア移動度
【付録A11】しきい電圧Vth
【付録A12】ドレイン電流ID の飽和についての解釈
1.1 半導体の歴史
1.2 半導体の概説
1.3 MOSトランジスタの概説
2章 半導体の基礎物理
2.1 エネルギーバンド
2.2 フェルミ統計と半導体
2.3 電荷中性条件と質量作用の法則
2.4 拡散とドリフト
2.5 静電場の基本式
3章 pn接合ダイオード
3.1 pn 接合ダイオード構造と整流作用
3.2 エネルギーバンド図（接地）
3.3 エネルギーバンド図（バイアスの印加）
3.4 電流電圧特性
4章 バイポーラトランジスタ
4.1 バイポーラトランジスタのエネルギーバンド図
4.2 電流増幅率とカットオフ周波数
5章 MOSキャパシタ
5.1 MOSキャパシタのC-V 特性
5.2 MOS構造のエネルギーバンド図
5.3 C-V 特性の周波数依存性
6章 MOSトランジスタ
6.1 MOSトランジスタの動作原理
6.2 電流電圧特性
6.3 NMOSとPMOS
6.4 インバータ回路
7章 超LSIデバイス
7.1 デバイス微細化の指針：スケーリング則
7.2 デバイス微細化の課題
7.3 配線の微細化による信号遅延
7.4 フラッシュメモリ
付録
【付録A1】定数表
【付録A2】室温(300 K) におけるSi の基本定数
【付録A3】基本特許から実用化まで32年かかったMOSトランジスタ
【付録A4】マクスウェル・ボルツマン分布関数
【付録A5】電子密度nとホール密度pの式
【付録A6】質量作用の法則
【付録A7】pn接合の空乏層幅
【付録A8】キャリアの生成・再結合
【付録A9】小信号でのエミッタ接地の電流増幅率
【付録A10】バンドギャップ・ナローイングと少数キャリア移動度
【付録A11】しきい電圧Vth
【付録A12】ドレイン電流ID の飽和についての解釈